Luận án Nghiên cứu nâng cao chất lượng bộ lọc thông dải siêu cao tần sử dụng công nghệ mạch vi dải ứng dụng cho các hệ thống vô tuyến
Trang 1
Trang 2
Trang 3
Trang 4
Trang 5
Trang 6
Trang 7
Trang 8
Trang 9
Trang 10
Tải về để xem bản đầy đủ
Bạn đang xem 10 trang mẫu của tài liệu "Luận án Nghiên cứu nâng cao chất lượng bộ lọc thông dải siêu cao tần sử dụng công nghệ mạch vi dải ứng dụng cho các hệ thống vô tuyến", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên.
Tóm tắt nội dung tài liệu: Luận án Nghiên cứu nâng cao chất lượng bộ lọc thông dải siêu cao tần sử dụng công nghệ mạch vi dải ứng dụng cho các hệ thống vô tuyến
còn phần rãnh mỏng kết nối hai vùng khắc hình chữ nhật làm tăng điện dung hiệu dụng của đường truyền vi dải. Một đơn vị DGS hình quả tạ tương ứng với một mạch LC song song có thể tự cộng hưởng ở một tần số nhất định. Các giá trị C và L của mạch tương đương có thể tính gần đúng [65]: L = 1 (2pif0) 2 C = 1 4pi2f 20C , (1.62) C = fc 2Z0 · 1 2pi (f 20 − f 2c ) , (1.63) trong đó f0 và fc là tần số cộng hưởng, tần số cắt tương ứng nhận được từ kết quả mô phỏng EM và Z0 là trở kháng đầu vào và đầu ra của mạch. 1.7. Kết luận chương Chương này đã trình bày tổng quan về nâng cao chất lượng bộ lọc vi dải ứng dụng cho các hệ thống vô tuyến và hướng nghiên cứu của Luận án. Giới thiệu khái quát các cấu trúc bộ lọc thông dải công nghệ mạch vi dải cơ bản và những vấn đề liên qua đến thiết kế bộ lọc thông dải siêu cao tần ứng dụng trong thông tin vô tuyến; cấu trúc đường truyền vi dải và tham số đặc tính; giới thiệu cấu trúc không liên tục và mạch tương đương của đường truyền vi dải ứng dụng cho thiết kế cấu trúc bộ lọc. Đặc biệt, các cấu trúc và đặc tính của một số mạch cộng hưởng vi dải cơ bản; cấu trúc, mô hình mạch tương đương và nguyên lý làm việc của DGS được tổng hợp, hệ thống và phân tích, làm cơ sở cho nghiên cứu thiết kế nâng cao chất lượng các bộ lọc vi dải đề xuất. Chương 2 BỘ LỌC VI DẢI ĐA BĂNG CÓ NHIỀU ĐIỂM TRUYỀN 0 SỬ DỤNG MẠCH CỘNG HƯỞNG TẢI DÂY CHÊM ĐA MODE KẾT HỢP VỚI MẠCH CỘNG HƯỞNG ĐƠN MODE Trước sự phát triển rất nhanh các dịch vụ khác nhau trong hệ thống thông tin vô tuyến thế hệ mới, đã yêu cầu hệ thống hoạt động trên nhiều băng tần riêng biệt và cho phép truy cập nhiều dịch vụ khác nhau trên cùng một thiết bị đầu cuối đa chế độ. Trong khi đó, các hệ thống thông tin vô tuyến có thể cung cấp nhiều chức năng và nhiều giao thức như hệ thống định vị toàn cầu (GPS), hệ thống viễn thông di động toàn cầu (UMTS), hệ thống thông tin cá nhân (PCS) trong một thiết bị đầu cuối vô tuyến. Để thực thi nhiều dịch vụ trên cùng một thiết bị đầu cuối vô tuyến thì thiết bị này phải có khả năng xử lý tín hiệu ở nhiều băng tần khác nhau. Trong chương này, trình bày 03 cấu trúc bộ lọc vi dải ba băng và bốn băng chất lượng cao với nhiều điểm 0 đường truyền trong đáp ứng tần số. 03 cấu trúc bộ lọc đề xuất này đều được thiết kế dựa trên giải pháp đề xuất thứ nhất là thực hiện thiết kế cấu trúc bộ lọc vi dải đa băng sử dụng mạch cộng hưởng tải nhiều dây chêm (ngắn/hở mạch) đa mode kết hợp với mạch cộng hưởng đơn mode, cấp nguồn trực tiếp kiểu dây rẽ đối xứng để tạo ra cấu trúc bộ lọc vi dải đa băng chất lượng cao với rất nhiều điểm 0 đường truyền trong đáp ứng tần số. Những điểm 0 đường truyền này đã cải thiện đáng kể hệ số dốc cạnh băng thông, hệ số chọn lọc tần số của bộ lọc và khả năng cách ly giữa các băng thông liền kề của 50 51 bộ lọc. Phần cuối chương, tổng hợp có hệ thống các bộ lọc vi dải đã thiết kế thử nghiệm nhờ ứng dụng giải pháp thiết kế đề xuất thứ nhất. Các kết quả nghiên cứu, 03 cấu trúc bộ lọc vi dải đa băng đề xuất được công bố lần lượt trong công trình số 1, 2, 3 và được trình bày trong các mục 2.1, 2.2 và 2.3. 2.1. Đề xuất cấu trúc bộ lọc vi dải ba băng sử dụng mạch cộng hưởng tải dây chêm hở mạch. Trong mục này, trình bày một cấu trúc bộ lọc vi dải ba băng mới sử dụng mạch cộng hưởng λ/4 đơn ngắn mạch đầu cuối lồng trong mạch cộng hưởng trở kháng đồng dạng với tải dây chêm hở mạch để tạo ra 08 điểm 0 đường truyền trong đáp ứng tần số nhằm cải thiện hệ số dốc cạnh tần số, hệ số chọn lọc tần số cạnh băng thông và tăng khả năng cách ly giữa các băng tần liền kề của bộ lọc đề xuất. Ba dải thông được thiết kế để hoạt động tại các tần số trung tâm 1,57/2,45/3,5GHz tương ứng. Mạch cộng hưởng đơn ngắn mạch đầu cuối λ/4 được sử dụng để tạo ra băng thông thứ nhất, trong khi mạch cộng hưởng đồng dạng tải dây chêm hở mạch được sử dụng để tạo ra băng thông thứ hai và thứ ba. Ba tần số trung tâm của bộ lọc vi dải ba băng có thể được kiểm soát dễ dàng với các giá trị mong muốn. Mạch cộng hưởng bên ngoài còn đóng vai là mạch cấp nguồn và kết nối với cổng vào/ra của bộ lọc. Một bộ lọc vi dải ba băng mới được thiết kế, mô phỏng và bình luận. 2.1.1. Thiết kế cấu trúc bộ lọc đề xuất Để thiết kế bộ lọc vi dải ba băng ứng dụng cho các hệ thống GPS, WLAN và WiMAX trên chất nền Rogers RT/Duroid 5880 độ dày h = 0,8mm, hằng số điện môi εr = 2, 2. Tác giả sử dụng các cấu trúc cộng hưởng cơ bản λ/2 và λ/4 để xây dựng bản thiết kế đầu tiên gồm hai mạch cộng hưởng λ/4 52 ngắn mạch đầu cuối được nhúng trong hai mạch cộng hưởng trở kháng đồng dạng tải dây chêm hở mạch bao quanh bên ngoài như thể hiện trên Hình 2.1(a). Trong đó, các mạch cộng hưởng đều thiết kế uốn gấp hợp lý để giảm thiểu kích thước tổng thể của bộ lọc đề xuất. Hai đoạn mạch dải trở kháng đặc tính 50Ω được kết nối đến các mạch cộng hưởng bên ngoài, đóng vai như cổng vào/ra của bộ lọc. Khi đó, các mạch cộng hưởng bên trong hoạt động ở tần số băng thông thứ nhất (f1), còn các mạch cộng hưởng bên ngoài tạo ra tần số băng thông thứ hai và thứ ba (f2 và f3). W2 S3 W2 S2 S4 d S1 L8 L7 L6 L5 L4 L3 L2 L1 W2 W1 50W 50W (a) d L7 (b) W2 S4 W2 La Lb (c) Hình 2.1: Bộ lọc vi dải ba băng. (a) Cấu trúc bộ lọc. (b) Cấu trúc cộng hưởng hai mode. (c) Cấu trúc cộng hưởng λ/4. 2.1.2. Phân tích cấu trúc thiết kế Để có được 03 băng thông theo thiết kế, việc lựa chọn và điều chỉnh phù hợp các kích thước vật lý và khoảng cách ghép của các mạch cộng hưởng trong cấu trúc bộ lọc đề xuất là cần thiết. - Một cấu trúc cộng hưởng λ/2 có chiều dài La, chiều rộng W2 và một tải dây chêm hở mạch dài L7, rộng W2 được uốn gấp lại và mắc rẽ nhánh tại vị trí trung tâm của La như thể hiện trên Hình 2.1(b) được xây dựng. Trong 53 đó, La có thể được tính toán theo biểu thức sau: La = L5 +W2 + L8 +W1 + L6 + 2L4 (2.1) Do cấu trúc mạch cộng hưởng đối xứng, nên thực hiện phương pháp phân tích mode lẻ/chẵn có thể nhận được đặc tính hai mode tương ứng, tạo ra hai tần số cộng hưởng ở băng thông thứ hai và thứ ba là [33], [73], [74] fodd = f2 = c (L5 +W2 + L8 +W1 + L6 + 2L4) √ εeff = c La √ εeff , (2.2) feven = f3 = nc [La + 2(L7 + S1)] √ εeff , (2.3) trong đó c là vận tốc truyền ánh sáng trong không gian tự do, εeff là hằng số điện môi hiệu dụng của chất nền. Trình tự thiết lập hai băng thông của bộ lọc được thực hiện như sau: Đầu tiên, thiết lập giá trị tần số f2 bằng cách điều chỉnh chiều dài La của mạch cộng hưởng nửa bước sóng, sau đó thiết lập tần số f3 được thực hiện đơn giản thông qua kiểm soát chiều dài điện tải dây chêm L7, trong khi độ dài La vẫn giữ không thay đổi. Vì dây chêm hở mạch L7 là tải được mắc rẽ nhánh tại vị trí trung tâm của La, tại đây điện áp bằng 0 với tần số f2, nên khi gắn thêm vào tải dây chêm L7 sẽ không tác động tần số f2 [14], [75]. Do đó, có thể điều chỉnh L7 và khoảng ghép S4 để điều khiển dễ dàng tần số f3 một cách độc lập, không làm biến đổi tần số f2. Kết quả mô phỏng HFSS thiết lập tần số f2 và f3 được minh họa trên Hình 2.2(a,b). - Một cấu trúc cộng hưởng λ/4 ngắn mạch đầu cuối có chiều dài Lb, chiều rộng W2 được thiết kế như Hình 2.1(c). Tần số cộng hưởng f1 cũng được xác 54 (a) (b) (c) Hình 2.2: S21 khi thay đổi kích thước của bộ lọc. (a) S21 khi điều chỉnh L4. (b) S21 khi điều chỉnh L7. (c) S21 khi điều chỉnh L1. 55 định theo biểu thức sau: f1 = c 4Lb √ εeff , (2.4) trong đó c là vận tốc truyền ánh sáng trong không gian tự do và εeff là hằng số điện môi hiệu dụng của chất nền. Kết quả mô phỏng để thiết lập tần số f1 như minh họa trên Hình 2.2(c). Hình 2.3: S11 và S21 của bộ lọc ba băng đề xuất . Như vậy, để thiết lập đáp ứng ba băng thông của bộ lọc đề xuất cho các ứng dụng trong hệ thống GPS, WLAN và WiMAX, tác giả điều chỉnh phù hợp kích thước và khoảng cách ghép các mạch cộng hưởng trong cấu trúc bộ lọc được thiết kế. Nếu không xét đến tác động tải của các mạch cộng hưởng khác, thì độ dài điện La, L7 và Lb cho bước sóng dẫn λ/2 tại các tần số f2, f3 và bước sóng dẫn λ/4 tần số f1, tương ứng. Bên cạnh đó, tác động tải lên các mạch cộng hưởng khác không tồn tại, nên các độ dài điện La, L7 và Lb là hơi khác so với bước sóng dẫn λ/2 tại các tần số f2, f3 và bước sóng dẫn λ/4 tại tần số f1. Để điều chỉnh đúng độ dài điện các mạch cộng hưởng và để mạch điện tổng thể nhỏ gọn, thì độ dài điện các đoạn từ L1 đến L8 cần 56 được tối ưu. Sau đó, điều chỉnh đúng khoảng cách ghép S1, S2, S3 và S4 để xác định hệ số phẩm chất ngoài và hệ số ghép của ba băng thông được thiết kế. Kích thước của bộ lọc đề xuất được liệt kê trong Bảng 2.1. Bảng 2.1: Tham số vật lý bộ lọc ba băng đề xuất (tính bằng mm) Tham số Giá trị Tham số Giá trị Tham số Giá trị Tham số Giá trị L1 7,5 L5 10,3 W1 1,5 S3 0,8 L2 9,4 L6 9,15 W2 1,0 S4 0,2 L3 4,7 L7 12,3 S1 0,3 d 0,5 L4 6,0 L8 2,2 S2 0,3 2.1.3. Kết quả mô phỏng và bình luận Một bộ lọc vi dải ba băng mới chất lượng cao hoạt động tại các tần số trung tâm 1,57/2,45/3,5GHz ứng dụng cho các hệ thống GPS, WLAN và WiMAX được thiết kế. Bằng cách điều chỉnh phù hợp kích thước và khoảng cách ghép của các mạch cộng hưởng, ba băng thông mong muốn có thể dễ dàng được thiết lập riêng. Hơn nữa, chất lượng chọn lọc các băng của bộ lọc khá tốt do có 08 điểm 0 đường truyền được tạo ra trong đáp ứng tần số. Các điểm 0 đường truyền này làm cho hệ số dốc cạnh băng thông sắc nét như thể hiện trên Hình 2.3 và Bảng 2.2. Kết quả mô phỏng các tham số đặc tính của bộ lọc vi dải ba băng đề xuất như thể hiện trên Hình 2.4(b): Băng thông đầu tiên có tần số trung tâm 1,57GHz, độ rộng băng hiệu dụng từ (1,52 - 1,6)GHz bằng 80MHz, tổn hao chèn -0,3dB và tổn hao phản hồi -19,9dB. Băng thông thứ hai tại 2,45GHz có độ rộng băng -3dB từ (2,35 - 2,50)GHz bằng 150MHz, tổn hao chèn -0,3dB và tổn hao phản hồi -31dB. Băng thông thứ ba tại 3,5GHz có độ rộng băng hiệu dụng được tính từ (3,55 - 3,47)GHz bằng 80MHz, tổn hao chèn -0,2dB 57 (a) (b) Hình 2.4: Hình ảnh và đáp ứng tần số của bộ lọc ba băng đề xuất. (a) Hình ảnh bộ lọc. (b) S11 và S21. và tổn hao phản hồi -20dB. Như vậy, một bộ lọc vi dải ba băng được thiết kế, mô phỏng và tối ưu cấu trúc để nhận được các đặc tính đáp ứng được yêu cầu của các hệ thống vô tuyến hiện nay. Cấu trúc chi tiết được thể hiện trên Hình 2.1(a) và Bảng 2.1. Sau khi chế tạo, mẫu bộ lọc đề xuất được thể hiện như Hình 2.4(a) và có kích thước tổng thể (17 x 16)mm, tương đương với (0, 16 × 0, 15)λg, trong đó λg là bước sóng dẫn tại tần số 1,57GHz. Chất lượng bộ lọc đề xuất cũng được thể hiện qua hệ số dốc cạnh băng thông, hệ số chọn lọc tần số cạnh băng thông và các tham số tổn hao của mỗi băng thông tương ứng như thể hiện trong Bảng 2.2. Bảng 2.2: Các tham số chất lượng của bộ lọc ba băng đề xuất. Tham số các Băng 1 Băng 2 Băng 3 Tần số trung tâm (f0) 1,57 GHz 2,45 GHz 3,5 GHz Hệ số dốc cạnh dải thông (SFfl - SFfh) (1,05 - 0,96) (1,04 - 0,96) (1,07 - 0,99) Hệ số chọn lọc tần số (K) 0,41 0,46 0,24 Tổn hao chèn (S21) -0,3 dB -0,3 dB -0,2 dB Tổn hao phản hồi (S11) -19,9 dB -31 dB -20 dB 58 2.1.4. Kết luận Đề xuất này thiết kế một cấu trúc bộ lọc vi dải đa băng ứng dụng cho các hệ thống vô tuyến hiện nay. Cấu trúc bộ lọc được thiết kế dựa trên mạch cộng hưởng λ/4 ngắn mạch đầu cuối nhúng giữa mạch cộng hưởng trở kháng đồng dạng tải dây chêm hở mạch hai mode. Trong đó, mạch cộng hưởng bên trong hoạt động tại tần số băng thông thứ nhất, mạch cộng hưởng bên ngoài tạo ra tần số băng thông thứ hai và thứ ba. Tần số trung tâm của ba băng thông được điều khiển dễ dàng và độc lập nhau với 08 điểm 0 đường truyền trong đáp ứng tần số làm cho hệ số chọn lọc tần số và khả năng cách ly giữa các băng thông liền kề khá tốt. Hơn nữa, dải chặn loại bỏ nhiễu ngoài băng của bộ lọc đạt -20dB kéo dài đến 7GHz như thể hiện trong Hình 2.4(b). Kết quả mô phỏng gần giống với tính toán lý thuyết đã khẳng định tính đúng đắn, khoa học của giải pháp thiết kế và cấu trúc đề xuất. 2.2. Đề xuất cấu trúc bộ lọc vi dải bốn băng sử dụng mạch cộng hưởng tải dây chêm đa mode kết hợp với mạch cộng hưởng vòng đơn mode Đề xuất này, trình bày một cấu trúc bộ lọc vi dải bốn băng nhỏ gọn mới sử dụng mạch cộng hưởng tải nhiều dây chêm lồng trong mạch cộng hưởng nửa bước sóng. Bằng cách điều chỉnh hợp lý kích thước và khe ghép của các mạch cộng hưởng, bốn băng thông được thiết kế làm việc tại các tần số 2,5/3,5/4,9/5,8GHz tương ứng với các ứng dụng cho WLAN và WiMAX. Hơn nữa, 09 điểm 0 đường truyền được tạo ra để cải thiện chất lượng chọn lọc và hiệu suất chặn dải của bộ lọc. Một mẫu bộ lọc vi dải bốn băng mới được thiết kế, chế tạo và đo kiểm. Kết quả đo kiểm gần giống mô phỏng. 59 2.2.1. Thiết kế cấu trúc bộ lọc đề xuất Một cấu trúc bộ lọc mới được thiết kế dựa trên giải pháp kết hợp giữa mạch cộng hưởng tải dây chêm ba mode với mạch cộng hưởng vòng hở đơn mode để tạo ra một cấu trúc cộng hưởng bốn băng như minh họa trong Hình 2.5. Cấu trúc mới gồm mạch cộng hưởng tải dây chêm hở/ngắn mạch ở bên trong và mạch cộng hưởng nửa bước sóng bao quanh phía bên ngoài. Mạch cộng hưởng bên trong có cấu trúc gồm một đoạn mạch dải chính, hai dây chêm hở mạch và một dây chêm ngắn mạch thực hiện chức năng cộng hưởng ba mode. Mạch cộng hưởng nửa bước sóng bên ngoài thực hiện đồng thời hai chức năng, vừa cộng hưởng đơn mode và vừa cấp nguồn cho mạch cộng hưởng bên trong. Hai đoạn mạch dải trở kháng đặc tính 50Ω gắn trực tiếp với mạch cộng hưởng nửa bước sóng bên ngoài đóng vai trò cổng vào/ra của bộ lọc bốn băng đề xuất. 50W 50W L1 L3 L4 L6 L5 L7 L8 L9 L14 L11 L12 L13 L2W2 W4 W1 W3 S1 S2 S3 d S4 W5 W6 S5 L10 Hình 2.5: Cấu trúc bộ lọc vi dải bốn băng đề xuất. 60 2.2.2. Phân tích cấu trúc thiết kế Cấu trúc bộ lọc thông dải bốn băng đề xuất gồm mạch cộng hưởng trong được nhúng vào mạch cộng hưởng ngoài như minh họa trong Hình 2.5. 2.2.2.1. Cấu trúc mạch cộng hưởng ngoài Cấu trúc mạch cộng hưởng ngoài như hiển thị trên Hình 2.6(a) tạo ra băng thông tần số thứ tư (f4). Theo phân tích trong [76] tần số f4 được tính gần đúng theo công thức sau: f4 = c 2 [2 (L12 + W1 + (L11 − L14)) + 2L13]√εeff , (2.5) trong đó c là tốc độ truyền của ánh sáng trong không gian tự do, εeff là hằng số điện môi của chất nền. Theo (2.5) thì tần số f4 được kiểm soát thông qua điều chỉnh độ dài L11, L14 và khe ghép S5 để đạt đến giá trị mong muốn như biểu diễn trong Hình 2.6(b). 50W 50W L14 L11 L12 L13 W1 S5 (a) (b) Hình 2.6: Mạch cộng hưởng ngoài. (a) Cấu trúc mạch. (b) Đáp ứng tần số. 61 2.2.2.2. Cấu trúc mạch cộng hưởng trong Mạch cộng hưởng bên trong là cộng hưởng tải nhiều dây chêm ba mode như thể hiện trong Hình 2.7. Cấu trúc mạch gồm một đoạn mạch dải trung tâm có trở kháng đặc tính 2(YL1+L2 +YL6+W4) và độ dài 2(L1+L2+L6+W4); một dây chêm ngắn mạch có trở kháng đặc tính YL7 và độ dài L7; và hai dây chêm hở mạch có trở kháng đặc tính YL3+L4+L5 và độ dài (L3 +L4 +L5). Do mạch cộng hưởng ba mode có cấu trúc đối xứng và phân tích theo mode lẻ/ chẵn ta có các cấu trúc tương ứng như Hình 2.7(a) và Hình 2.7(b): L7 YY7 (L3+L4 + L5) Y(L3+L4+L5) (L3+L4 + L5) Y(L3+L4+L5) (L1 + L2) Y(L1+L2) (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) (L6 + W4) Y(L6+W4) (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) (L3+L4 + L5) Y(L3+L4+L5) (a) L7 YL7/2 (L3+L4 + L5) Y(L3+L4+L5) (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) (b) Hình 2.7: Cấu trúc cộng hưởng tải dây chêm ngắn/hở mạch ba mode. (a) Cấu trúc mode lẻ. (b) Cấu trúc mode chẵn. * Khi kích thích mode lẻ, điện áp tại mặt phẳng đối xứng luôn bằng 0, ta có mạch tương đương mode lẻ Hình 2.7(a) được tách ra thành các mạch tương đương mode lẻ và mode chẵn như Hình 2.8(a) và Hình 2.8(b). 62 Xét mạch cộng hưởng Hình 2.8(a) để xác định các đặc tính cộng hưởng với giả thiết điều kiện cộng hưởng Id[Yin] = 0: Yvào,lẻ1 = −jY(L1+L2) cot θ(L1+L2), (2.6) trong đó θ(L1+L2) = βL(L1+L2), là độ dài điện của đoạn mạch dải và Yvào,lẻ1 là dẫn nạp đầu vào, do đó tần số cộng hưởng của mạch được xác định [61]: flẻ1 = c 4(L1 + L2) √ εeff , (2.7) trong đó c là tốc độ truyền của ánh sáng trong không gian tự do, εeff là hằng số điện môi của chất nền. (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) (L3+L4 + L5) Y(L3+L4+L5) (L1 + L2) Y(L1+L2) (a) (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) (b) Hình 2.8: Mạch tương đương mode lẻ của mạch cộng hưởng ba mode. (a) Cấu trúc mode lẻ. (b) Cấu trúc mode chẵn. Tiếp tục xét mạch cộng hưởng Hình 2.8(b) có dẫn nạp vào là: Yin,chẵn1 = Y(L1+L2) −jY(L6+W4) / 2 cot θ(L6+W4) + jY(L1+L2) tan θ(L1+L2) Y(L1+L2) + j (−jY(L6+W4)/2 cot θ(L6+W4)) tan θ(L1+L2) , (2.8) 63 trong đó, θ(L6+W4) = β.L(L6+W4). Trong điều kiện Y(L6+W4) = 2Y(L1+L2) ta có tần số cộng hưởng fchẵn1: fchẵn1 = c 4 (L1 + L2 + L6 +W4) √ εeff , (2.9) * Khi kích thích mode chẵn, dòng điện tại mặt phẳng đối xứng bằng 0, mạch tương đương mode chẵn được tách ra như Hình 2.7(b). Mạch tương đương mode chẵn này có cấu trúc đối xứng tĩnh, do đó phân tích mode lẻ và chẵn của nó cũng có các mạch tương đương mode lẻ và chẵn như Hình 2.9(a) và 2.9(b). Xét mạch cộng hưởng Hình 2.9(a) cũng có cấu trúc giống mạch cộng hưởng Hình 2.8(a) và có mode cộng hưởng flẻ1 giống biểu thức (2.7). Tương tự, xét mạch cộng hưởng Hình 2.9(b) trong điều kiện YL7 = 2Y(L6+W4) = 4Y(L1+L2) và nhận được dẫn nạp vào và tần số cộng hưởng fchẵn2 [61] như sau: Yin,chẵn2 = Y(L1+L2) YL7 + jY(L1+L2) tan θ(L1+L2) Y(L1+L2) + jYL7 tan θ(L1+L2) , (2.10) fchẵn2 = c 4 (L1 + L2 + L6 +W4 + L7) √ εeff , (2.11) trong đó c là vận tốc truyền của ánh sáng trong không gian tự do, εeff là hằng số điện môi của chất nền. Như vậy, ba tần số cộng hưởng của mạch cộng hưởng tải nhiều dây chêm ba mode bên trong được xác định theo các biểu thức (2.7), (2.9) và (2.11). Trong đó, sử dụng (L6 + W4) điều khiển fchẵn1, sử dụng (L6 + W4) và L7 điều khiển fchẵn2, trong khi flẻ1 được kiểm soát bằng (L1 +L2) không bị ảnh hưởng. 64 L7 YL7/2 (L3+L4 + L5) Y(L3+L4+L5) (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) (L1 + L2) Y(L1+L2) (a) L7 Y7/2 (L1 + L2) Y(L1+L2) (L6 + W4) Y(L6+W4) /2 (b) Hình 2.9: Mạch tương đương mode chẵn của mạch cộng hưởng ba mode. (a) Mạch mode lẻ. (b) Mạch mode chẵn 2.2.3. Kết quả mô phỏng Theo phân tích ở trên, một bộ lọc thông dải bốn băng sử dụng hai mạch cộng hưởng tải nhiều dây chêm ba mode lồng trong hai mạch cộng hưởng nửa bước sóng được thiết kế. Để giảm thiểu kích thước của bộ lọc và hạn chế tác động tương hỗ ngược giữa các mạch đặt cạnh nhau, các đoạn mạch dải trung tâm và các dây chêm được thiết kế uốn gấp khúc. Bên cạnh đó, nguồn tín hiệu được cấp trực tiếp rẽ nhánh vào mạch cộng hưởng ngoài qua hai đoạn mạch dải trở kháng 50Ω như Hình 2.6(a). Khi đó mạch cộng hưởng bên ngoài đồng thời thực hiện hai chức năng là vừa cộng hưởng tạo ra băng thông tần số trung tâm f4, vừa cấp nguồn cho các mạch cộng hưởng tải nhiều dây chêm bên trong. Mạch cộng hưởng bên trong tạo ra ba băng thông tần số trung tâm f1, f2 và f3. 65 Quá trình thiết lập bốn băng thông của bộ lọc tại các tần số f1, f2, f3 và f4 được thực hiện theo các bước sau: Đầu tiên, thiết lập băng thông tần số f4 do mạch cộng hưởng nửa bước sóng bên ngoài tạo ra theo (2.4). Điều chỉnh độ dài L11, L14 và khe ghép S5 phù hợp để nhận được giá trị f4 mong muốn như biểu diễn trong Hình 2.6(b). Sau đó, xác định các băng thông tần số trung tâm f1, f2 và f3 của mạch cộng hưởng tải nhiều dây chêm ba mode bên trong Hình 2.7. Cụ thể, băng thông tần số trung tâm f3 (fodd1) được xác định theo biểu thức (2.7), băng thông tần số trung tâm f2 (feven1) được xác định theo biểu thức (2.9) và băng thông tần số trung tâm f1 (feven2) được xác định theo biểu thức (2.11). Thiết lập các tần số f1, f2 và f3 bằng cách điều chỉnh hợp lý kích thước và khoảng cách ghép giữa các mạch cộng hưởng tương ứng: Trước tiên, xác định f3, bằng cách điều chỉnh độ dài L5 sao cho tổng độ dài (L3 + L4 + L5) gần bằng độ dài một phần tư bước sóng tại tần số f3
File đính kèm:
- luan_an_nghien_cuu_nang_cao_chat_luong_bo_loc_thong_dai_sieu.pdf
- Thong_tin_ve_dong_gop_moi_LA_PHUONG.pdf
- Toan van_TomTat_LATS_PHUONG.pdf
- Trich_yeu_Luan_an_DO_VAN_PHUONG.pdf