Luận án Phân tích tĩnh và động tấm, vỏ thoải hai độ cong Composite nano carbon - áp điện
Trang 1
Trang 2
Trang 3
Trang 4
Trang 5
Trang 6
Trang 7
Trang 8
Trang 9
Trang 10
Tải về để xem bản đầy đủ
Bạn đang xem 10 trang mẫu của tài liệu "Luận án Phân tích tĩnh và động tấm, vỏ thoải hai độ cong Composite nano carbon - áp điện", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên.
Tóm tắt nội dung tài liệu: Luận án Phân tích tĩnh và động tấm, vỏ thoải hai độ cong Composite nano carbon - áp điện
tần số cao đến hằng số cản là không đáng kể, nên để đơn giản trong mô hình toán, thường xem xét tới 2 tần số dao động riêng đầu tiên 1, 2 và xem rằng tỷ số cản là hằng số (1= 2= R). Do đó: 1 2 1 2 1 2 1 2 2 2 ; R RR R R (3.68) Hệ phương trình (3.65) được giải bằng cách áp dụng thuật toán tích phân trực tiếp Newmark và nhận được các đáp ứng chuyển vị theo thời gian của vỏ PFG- CNTRC. 3.5 Nhận xét chương 3 Chương ba luận án đã xây dựng mô hình phần tử hữu hạn dựa trên lý thuyết biến dạng cắt bậc cao bốn ẩn chuyển vị để phân tích tĩnh, động và đáp ứng chuyển vị theo thời gian cho vỏ thoải hai độ cong composite nano carbon – áp điện. Các kết quả chính mà chương 3 đã thực hiện bao gồm: 1. Phần tử chữ nhật bốn nút với các hàm dạng Lagrange kết hợp cùng các hàm dạng Hermite được sử dụng để xây dựng thành công mô hình phần tử hữu hạn dựa trên lý thuyết biến dạng cắt bậc cao bốn ẩn chuyển vị cải tiến. 2. Mô hình PTHH phân tích vỏ thoải PFG-CNTRC có xét đến tác động đồng thời của tải trọng cơ học và điện thế áp đặt. 3. Dựa trên giả thiết chuyển dịch điện thế trong các lớp áp điện theo quy luật bậc nhất, mô hình PTHH xét đến hai trạng thái mạch kín và mạch hở của các lớp áp điện khi phân tích dao động tự do của vỏ thoải PFG-CNTRC. 71 4. Trên cơ sở lý thuyết đã thiết lập, luận án đã viết 03 chương trình máy tính trên nền ngôn ngữ Matlab: - Chương trình phân tích tĩnh vỏ thoải hai độ cong composite áp điện theo mô hình PTHH: Static_FE_DCurvedShell_PFG_CNTRC (được trình bày trong phần Phụ lục B3). - Chương trình phân tích dao động tự do vỏ thoải hai độ cong composite áp điện theo mô hình PTHH: Vibration_FE_DCurvedShell_PFG_CNTRC (được trình bày trong phần Phụ lục B4). - Chương trình đáp ứng chuyển vị theo thời gian của vỏ thoải hai độ cong composite áp điện theo mô hình PTHH: - VibControl_FE_DCurvedShell_PFG_CNTRC (được trình bày trong phần Phụ lục B5). Các chương trình máy tính này là cơ sở để thực hiện các khảo sát số và rút ra những nhận xét, kết luận trong chương bốn của luận án. 72 CHƯƠNG 4 KHẢO SÁT ẢNH HƯỞNG CỦA MỘT SỐ YẾU TỐ ĐẾN ĐẶC TRƯNG TĨNH VÀ ĐỘNG CỦA TẤM, VỎ THOẢI HAI ĐỘ CONG COMPOSITE NANO CARBON – ÁP ĐIỆN 4.1 Mở đầu Trong chương 2 và chương 3, luận án đã trình bày lời giải giải tích, mô hình phần tử hữu hạn cho bài toán phân tích tĩnh, dao động tự do và đáp ứng động của vỏ thoải hai độ cong composite PFG-CNTRC theo lý thuyết biến dạng cắt bậc cao bốn ẩn chuyển vị cải tiến. Trong chương này, luận án sử dụng bộ chương trình đã viết bằng ngôn ngữ lập trình Matlab để tính toán độ võng, các thành phần ứng suất, tần số dao động, dạng dao động và đáp ứng chuyển vị của vỏ thoải composite hai độ cong PFG-CNTRC. Như nghiên cứu tổng quan đã trình bày trong luận án, hiện nay vẫn chưa có các công bố cho đối tượng là vỏ thoải hai độ cong PFG-CNTRC, các kết quả công bố mới chỉ dừng lại ở kết cấu tấm PFG-CNTRC. Vì vậy, luận án lựa chọn kiểm chứng độ tin cậy của mô hình và chương trình mà luận án thiết lập dựa trên HSDST-4 qua 5 ví dụ: ví dụ thứ nhất là kiểm chứng mô hình HSDST-4 với lý thuyết đàn hồi ba chiều (3D) tính toán tần số dao động riêng của vỏ trụ thoải composite cốt sợi đồng phương; ví dụ thứ 2 là so sánh độ chính xác khi sử dụng HSDST-4 đề xuất so với khi dùng mô hình HSDST-4 nhưng sử dụng một số dạng hàm f(z) đã được công bố trước đây để tính toán 10 tần số dao động riêng đầu tiên của kết cấu tấm đơn lớp làm từ vật liệu đẳng hướng; ví dụ thứ ba là kiểm chứng mô hình HSDST-4 so với lý thuyết vỏ bậc cao 5 ẩn chuyển vị tính toán tần số dao động riêng của vỏ thoải hai độ cong làm từ vật liệu đẳng hướng có gắn lớp vật liệu áp điện tại mặt trên và dưới; Để kiểm chứng về ứng xử của vật liệu composite PFG-CNTRC, ví dụ thứ tư thực hiện so sánh kết quả tính theo mô hình đề xuất với kết quả theo phương pháp đẳng hình học tính toán tần số dao động riêng của kết cấu tấm PFG-CNTRC; Bài toán uốn trong ví dụ thứ 5 thực hiện kiểm chứng HSDST-4 so với kết quả tính theo phương pháp nghiệm chính 73 xác (Exact solutions) và lý thuyết bậc cao 12 ẩn chuyển vị tính toán cho kết cấu tấm composite áp điện cốt sợi đồng phương. Các ví dụ khảo sát tính toán độ võng, ứng suất, tần số dao động tự do và đáp ứng chuyển vị theo thời gian của vỏ hai độ cong PFG-CNTRC được thực hiện theo mô hình HSDST-4, qua đó rút ra những nhận xét và kết luận cho bài toán phân tích tĩnh và động tấm, vỏ thoải hai độ cong composite nano carbon – áp điện. 4.2 Các ví dụ kiểm chứng mô hình HSDST-4 4.2.1. Kiểm chứng bài toán dao động riêng a) Ví dụ 1: Kiểm chứng độ chính xác của HSDST-4 so với lý thuyết đàn hồi ba chiều (3D) tính toán cho vỏ thoải composite cốt sợi đồng phương. Các thuộc tính vật liệu composite được sử dụng trong tính toán lấy theo tài liệu tham khảo của Ye và Soldatos [110]: E1=25E2, G12=G13=0.5E2, G23=0.2E2, 12=13=0.25 và =1kg/m3. Kết quả tính tần số dao động tự do không thứ nguyên 2/a E của vỏ trụ thoải composite [90/0] được thể hiện trong bảng 4.1. Chênh lệch kết quả giữa các mô hình được tính theo biểu thức: *Sai lệch = ( ) (3D) (3D) KQ cac ly thuyet KQ KQ (%). Bảng 4.1. Tần số dao động tự do không thứ nguyên thứ nhất (m=1, n=1) của mảnh vỏ trụ thoải composite [90/0] (a=b, Rx/a= ) Ry/a Mô hình h/a 0.05 sai lệch* (%) 0.10 sai lệch* (%) 0.15 sai lệch* (%) 2 3D [110] 0.57702 0.94951 1.27598 HSDST [11] 0.58000 0.516 0.95664 0.751 1.28933 1.046 FSDST [11] 0.57733 0.054 0.93653 1.367 1.23527 3.190 74 Ry/a Mô hình h/a 0.05 sai lệch* (%) 0.10 sai lệch* (%) 0.15 sai lệch* (%) Giải tích 0.57775 0.127 0.95368 0.439 1.28810 0.950 PTHH 0.57443 0.449 0.93908 1.098 1.25098 1.959 4 3D [110] 0.50324 0.91155 1.24972 HSDST [11] 0.50415 0.181 0.91506 0.385 1.25977 0.804 FSDST [11] 0.50109 0.427 0.89403 1.922 1.20454 3.615 Giải tích 0.50380 0.111 0.91582 0.468 1.26253 1.025 PTHH 0.50055 0.535 0.90300 0.938 1.23336 1.309 20 3D [110] 0.47959 0.89477 1.23339 HSDST [11] 0.47997 0.079 0.89904 0.477 1.24626 1.043 FSDST [11] 0.47677 0.588 0.87779 1.898 1.19100 3.437 Giải tích 0.47639 0.667 0.89961 0.541 1.24739 1.135 PTHH 0.47440 1.082 0.89123 0.396 1.22677 0.537 3D [110] 0.47371 0.89248 1.23001 HSDST [11] 0.47483 0.236 0.89761 0.575 1.24437 1.167 FSDST [11] 0.47161 0.443 0.87640 1.802 1.18923 3.315 Giải tích 0.47483 0.236 0.89761 0.575 1.24437 1.167 PTHH 0.47318 0.112 0.89052 0.220 1.22629 0.302 Kết quả tính toán tần số dao động tự do cơ bản của mảnh vỏ trụ thoải composite lớp cấu hình [90/0] theo mô hình HSDST-4 đề xuất được so sánh với kết quả tính theo các lý thuyết vỏ thoải bậc nhất (FSDST), lý thuyết vỏ thoải bậc cao (HSDST), và lý thuyết đàn hồi ba chiều (3D). Có thể thấy rằng kết quả tính của luận án theo cả tiếp cận giải tích (Giải tích) và phương pháp phần tử hữu hạn (PTHH) với lưới phần 75 tử 24×24 đều có sai lệch là không đáng kể với lý thuyết đàn hồi ba chiều (3D). Điều này khẳng định độ chính xác của mô hình mà luận án đã xây dựng khi sử dụng tính toán cho đối tượng là kết cấu là vỏ composite lớp. b) Ví dụ 2: So sánh độ chính xác của hàm hiệu chỉnh ứng suất cắt f(z) đề xuất với một số dạng hàm đã công bố. Trong ví dụ này kết quả 10 tần số dao động riêng tính toán theo phương pháp giải tích sử dụng HSDST-4 với các dạng hàm f(z) khác nhau được so sánh với kết quả tính theo phương pháp nghiệm chính xác (Exact) [90]. Bảng 4.2 cho thấy sai số của HSDST-4 so với [90] là nhỏ và sai số này là nhỏ nhất khi sử dụng dạng hàm f(z) được đề xuất trong luận án. Bảng 4.2. Tần số dao động tự do không thứ nguyên mn mnh G của tấm vuông đẳng hướng bốn biên tựa khớp (a=b, a/h=10) m n Exact [90] f(z) Luận án [87] [21] [91] [92] [19] 1 1 0.0932 0.0932 0.0930 0.0935 0.0936 0.0935 0.0933 1 2 0.2226 0.2232 0.2219 0.2244 0.2248 0.2246 0.2234 2 2 0.3421 0.3435 0.3406 0.3461 0.3470 0.3465 0.3439 1 3 0.4171 0.4192 0.4149 0.4230 0.4242 0.4235 0.4198 2 3 0.5239 0.5271 0.5206 0.5327 0.5347 0.5336 0.5280 1 4 - 0.6618 0.6520 0.6703 0.6733 0.6717 0.6631 3 3 0.6889 0.6941 0.6834 0.7033 0.7066 0.7048 0.6955 2 4 0.7511 0.7572 0.7447 0.7679 0.7717 0.7696 0.7588 3 4 - 0.9069 0.8897 0.9215 0.9268 0.9238 0.9090 1 5 0.9268 0.9356 0.9174 0.9510 0.9566 0.9535 0.9378 c) Ví dụ 3: Tần số dao động tự do của vỏ thoải hai độ cong có lớp lõi là vật liệu đẳng hướng và hai lớp bề mặt là vật liệu áp điện. Xét kết cấu vỏ thoải hai độ cong làm từ vật liệu Al2O3 (chiều dày h) có gắn 76 lớp áp điện PZT-4 (chiều dày hp) tại mặt trên và mặt dưới của vỏ. Hai loại điều kiện biên điện được xem xét như trong Hình 4.1, bao gồm: (a) Mạch kín - trong đó điện thế được giữ ở mức 0 (nối đất); (b) Mạch hở - trong đó điện thế vẫn tự do (chuyển vị điện bằng không). Kết quả tính tần số dao động tự do của vỏ được thể hiện trong Bảng 4.3 và Bảng 4.4. Các thuộc tính vật liệu của vỏ được lấy theo Sayyaadi [79]: Al2O3: =3800 (kgm-3); E=380 (GPa); =0.3 PZT-4: =7500 (kgm-3); C11=139 (GPa); C12=77.8 (GPa); C13=74.3 (GPa) ; C33=115 (GPa); C44= C55=25.6 (GPa); C66=30.6 (GPa); e31= 5.2 (cm-2); e33=15.1 (cm-2); e15=12.7 (cm-2); p11=6.75 (nFm-1); p33=5.9 (nFm-1). (a) (b) Hình 4.1 Trạng thái mạch của lớp áp điện: (a) mạch kín ; (b) mạch hở Trong Bảng 4.2 và Bảng 4.3, tần số dao động riêng được so sánh với kết quả tính toán sử dụng lý thuyết vỏ dày bậc cao năm ẩn chuyển vị HSDT [79], [80] cho hai trường hợp điều kiện biên về điện là mạch kín (closed-circuit) và mạch hở (open-circuit). Kết quả so sánh cho thấy mô hình dựa trên lý thuyết HSDST-4 do luận án xây dựng là phù hợp và hiệu quả khi tính toán dao động tự do của kết cấu vỏ có gắn các lớp áp điện trong cả hai điều kiện biên về điện là mạch kín và mạch hở. 77 Bảng 4.3. Tần số dao động riêng thứ nhất (m=1, n=1) (Hz) của vỏ thoải đẳng hướng áp điện khi mạch kín (a/b=1, Ry/a=5) a/Rx h/a hp/h mạch kín (Hz) Giải tích GT* (%) PTHH PTHH* (%) [80] [76]* (%) [79] -0.2 0.1 0.1 823.192 -0.104 819.860 -0.508 823.997 -0.006 824.049 0.2 787.731 -0.089 784.513 -0.497 788.091 -0.043 788.430 0 0.1 0.1 839.095 -0.033 836.793 -0.307 839.316 -0.006 839.368 0.2 801.515 -0.035 797.661 -0.515 801.457 -0.042 801.794 0.1 0.1 0.1 853.034 -0.013 848.321 -0.566 853.095 -0.006 853.147 0.2 813.258 -0.019 811.429 -0.244 813.081 -0.041 813.413 0.2 0.1 0.1 870.667 -0.004 865.714 -0.573 870.655 -0.006 870.705 0.2 828.014 -0.011 827.979 -0.015 827.775 -0.039 828.101 * ( ) ([75]) % *100 ([75]) KQ LA KQ KQ trong đó: KQ(LA) là kết quả của luận án; KQ([75]) là kết quả của tài liệu tham khảo [75]. Bảng 4.4. Tần số dao động riêng thứ nhất (m=1,n=1) (Hz) của vỏ thoải đẳng hướng áp điện khi mạch hở (a/b=1, Ry/a=5) a/Rx h/a hp/h mạch hở (Hz) Giải tích GT* (%) PTHH PTHH* (%) [80] [76]* (%) [79] -0.2 0.1 0.1 840.146 -0.124 837.910 -0.390 843.029 0.219 841.189 0.2 820.045 -0.053 817.088 -0.413 826.775 0.768 820.477 0 0.1 0.1 855.975 -0.056 855.630 -0.096 858.249 0.209 856.455 0.2 833.727 -0.006 829.869 -0.469 840.162 0.765 833.781 0.1 0.1 0.1 869.731 -0.037 867.071 -0.343 871.706 0.190 870.057 0.2 845.161 0.006 844.859 -0.029 851.309 0.734 845.108 0.2 0.1 0.1 887.099 -0.028 881.408 -0.670 888.783 0.161 887.350 0.2 859.456 0.013 859.359 0.001 865.231 0.685 859.347 78 d) Ví dụ 4: Tần số dao động riêng của tấm composite FG-CNTRC áp điện. Xét kết cấu tấm composite lớp FG-CNT có gắn các lớp áp điện tại mặt trên và mặt dưới (Hình 2.1). Tấm có kích thước a × b × h = 0.4 × 0.4 × 0.1 (m). Các thuộc tính vật liệu được tham khảo theo nghiên cứu [65]. - Vật liệu FG-CNTRC: Vật liệu nền có: Em = (3.52 – 0.0034T) GPa, m = 0.34 và m =1.15 g/cm3 tại nhiệt độ phòng 300°K. Vật liệu gia cường CNT có: E11CNT=5.64 TPa, E22CNT = 7.0800 TPa, G12CNT=1.9455 TPa, 12CNT=0.175 và CNT=1.4 g/cm3. Với ba tỷ lệ phần trăm thể tích tổng của CNT, các tham số: 1=0.137, 2=1,022 và 3=0.72 cho trường hợp V*CNT = 12%; 1=0.142, 2=1.626 và 3 =0.72 khi V*CNT=17%; và 1=0.141, 2=1.585, 3=0.72 cho trường hợp V*CNT=28%. Mô đun cắt: G13=G12; G23=1.2G12. - Vật liệu áp điện: Các lớp áp điện được làm từ PZT-5A với các thuộc tính vật liệu [36]: E = 63 GPa, G=23.3 GPa, =0.35, =7750 kg/m3, e31=e32=-7.209 C/m2, e33=15.12 C/m2, e15=e24=12.322 C/m2, p11=p22=1.53×10-8 F/m và p33=1.5×10-8 F/m. Kết quả tính tần số dao động tự do của tấm composite đơn lớp PFG-CNTRC (a=b, a/h = 20, Rx = Ry = ; V*CNT=28%) với hai điều kiện biên là SSSS và CFFF được trình bày trong Bảng 4.5. Tần số dao động tự do của tấm composite lớp PFG- CNTRC có điều kiện biên tựa khớp bốn cạnh SSSS với hai cấu hình vuông góc và xiên góc được trình bày trong Bảng 4.6. Bảng 4.5 và 4.6 cho thấy chênh lệch giữa kết quả tính của luận án so với kết quả tính dựa trên lý thuyết biến dạng cắt bậc cao theo phương pháp đẳng hình học [65] và phương pháp Ritz [36] là nhỏ (sai khác lớn nhất = |LA - [76]|/[76] = 1,28% cho trường hợp tấm cấu hình [p/-45o/45o]as, FG-V, V*CNT = 0.28, trạng thái mạch kín). Kết quả so sánh này khẳng định tính chính xác và độ tin cậy của mô hình lý thuyết HSDT-4 cải tiến và chương trình tính do luận án thiết lập để tính toán tần số dao động của kết cấu composite FG-CNTRC áp điện. 79 Bảng 4.5. Tần số dao động riêng thứ nhất (m=1, n=1) (Hz) của tấm vuông đơn lớp FG-CNTRC áp điện cấu hình [p/0/p] Kiểu phân bố CNT Trạng thái mạch Điều kiện biên SSSS CFFF GT PTHH [65] PTHH [65] [36] UD kín 692.023 690.332 685.587 196.726 197.147 197.440 hở 720.549 718.529 721.919 199.614 200.669 199.795 FG-X kín 767.318 765.505 757.950 230.638 231.928 232.185 hở 792.364 790.164 789.814 233.060 234.852 234.146 FG-V kín 642.030 640.715 637.353 171.531 171.477 171.660 hở 673.463 671.888 677.399 175.081 175.830 174.451 FG-O kín 605.283 603.764 601.032 153.783 153.361 153.551 hở 638.738 636.960 643.745 157.513 157.965 156.634 Bảng 4.6. Tần số dao động riêng thứ nhất (m=1, n=1) (Hz) của tấm vuông bốn biên tựa khớp (SSSS) composite lớp FG-CNTRC áp điện Kiểu phân bố CNT Trạng thái mạch Cấu hình composite FG-CNTRC [p/0/90/0/p] [p/(-45/45/-45)as/p] GT PTHH [65] GT PTHH [65] UD kín 692.016 691.467 686.852 828.991 825.279 821.713 hở 720.749 719.724 723.150 851.606 849.158 850.524 FG-X kín 704.853 704.344 697.260 836.338 834.354 826.415 hở 733.029 732.039 732.991 858.755 857.973 855.093 FG-V kín 688.165 687.605 682.974 827.574 824.312 820.463 hở 717.276 716.255 719.788 850.294 848.325 849.465 FG-O kín 680.340 679.772 677.986 823.309 817.819 818.750 hở 709.665 708.637 714.904 846.167 842.003 847.767 80 4.2.2. Kiểm chứng bài toán uốn Xét tấm vuông composite cốt sợi đồng phương [0/90/0/p], kích thước a×a×h có gắn lớp áp điện tại mặt trên, điều kiện biên tựa khớp (SSSS), chịu tải trọng cơ học (qz+=40N/m2) và điện thế áp đặt lên mặt trên lớp áp điện là: Vt=+100V ; Vt=-100V phân bố dạng hình sin (m=n=1), chiều dày mỗi lớp composite là hk=0,1mm, lớp áp điện có chiều dày hp=0,25 mm. - Các thông số vật liệu của lớp vật liệu composite [53]: E1=172.9 GPa; E1/E2 =25; G12=0,5 E2; G23=0.2 E2; 12=0.25. - Các thông số vật liệu của lớp composite cốt sợi áp điện PFRC (piezoelectric fiber reinforced composite) [53] : C11=32.6 GPa ; C12=C21=4.3 GPa ; C13=C31=4.76 GPa ; C22=C33=7.2 GPa ; C23=3.85 GPa ; C44=1.05GPa ; C55=C66=1.29 GPa ; e31= 6.76 C/m2 ; p11= p22=0.037×10-9 C/Vm, p33=0,037×10-9 C/Vm. Các đại lượng khảo sát được tính theo các công thức không thứ nguyên [53] như sau: 2 4 2 0 0 2 2 0 0 0 0 100 w , ,0 = w; , , = ; 2 2 2 2 2 , , = ; 0,0, = ; 2 2 6 2 ,0, = ; 0, , = 2 6 2 6 x xx y xy yy xy yz xz yz xz a b E a b h q S h q S a b h h q S q S a h b h q S q S (4.1) Kết quả tính độ võng và ứng suất theo HSDST-4 đề xuất được so sánh với kết quả tính theo phương pháp nghiệm chính xác [53] và nghiệm giải tích [88] tính theo lý thuyết tựa 3D 12 ẩn chuyển vị. Kết quả trong bảng 4.7 cho thấy sự chênh lệch là nhỏ giữa các phương pháp, điều này khẳng định độ tin cậy khi sử dụng lý thuyết đề xuất để phân tích uốn cho kết cấu composite áp điện. 81 Bảng 4.7. Độ võng và ứng suất không thứ nguyên của tấm composite áp điện, cấu hình [0/90/0/p] chịu uốn bởi tải trọng cơ học qz+(N/m2) và điện thế áp đặt V(Volt) phân bố hình sin a/h V= +100 V= 100 GT PTHH HSDT [88] Exact [53] GT PTHH HSDT [88] Exact [53] 20 w 29.525 29.716 29.772 30.337 -30.409 -30.624 -30.715 -31.310 xx 55.023 55.134 56.757 57.269 -56.009 -56.130 -57.744 -58.276 -17.573 -17.837 -17.413 -17.810 18.615 18.889 18.461 18.875 yy 9.966 9.990 9.960 10.459 -10.277 -10.301 -10.322 -10.840 -14.095 -14.152 -14.098 -14.160 14.439 14.498 14.497 14.566 xy -1.763 -1.762 -1.791 -1.822 1.802 1.802 1.833 1.865 1.105 1.108 1.105 1.123 -1.146 -1.149 -1.149 -1.168 100 w 0.774 0.775 0.775 0.787 -1.579 -1.586 -1.584 -1.605 xx 1.730 1.731 1.738 1.755 -2.704 -2.712 -2.715 -2.745 -0.206 -0.212 -0.205 -0.218 1.235 1.249 1.234 1.257 yy 0.248 0.249 0.248 0.260 -0.565 -0.567 -0.568 -0.588 -0.397 -0.399 -0.397 -0.396 0.747 0.751 0.749 0.747 xy -0.052 -0.052 -0.052 -0.053 0.091 0.091 0.091 0.092 0.025 0.025 0.025 0.025 -0.065 -0.065 -0.065 -0.066 4.2.3. Nhận xét các ví dụ kiểm chứng Qua các ví dụ đã kiểm chứng có thể thấy rằng mô hình do luận án đề xuất và xây dựng dựa trên lý thuyết biến dạng cắt bậc cao bốn ẩn chuyển vị cải tiến HSDST- 4 và chương trình tính lập trình bằng ngôn ngữ lập trình MATLAB theo cả hai phương pháp giải tích và PTHH là có cơ sở tin cậy. Hơn nữa, kết quả so sánh cũng chỉ ra rằng mô hình dựa trên lý thuyết HSDST-4 là hiệu quả khi cho kết quả rất gần với kết quả tính theo mô hình 3D trong khi số ẩn và số phương trình ít hơn so với các lý thuyết 82 biến dạng cắt bậc cao khác. Sử dụng bộ chương trình đã thiết lập này, luận án khảo sát và trình bày các ví dụ số sử dụng lời giải giải tích bao gồm phân tích tĩnh, dao động riêng và đáp ứng chuyển vị của kết cấu tấm, vỏ thoải hai độ cong composite nano carbon – áp điện trong phần tiếp theo. 4.3 Khảo sát bài toán uốn Trong mục khảo sát này, bằng các ví dụ số cụ thể, luận án khảo sát ảnh hưởng của kiểu phân bố CNT, tỷ lệ phần trăm thể tích tổng của CNT, điện thế áp đặt và điều kiện biên đến độ võng và ứng suất của vỏ thoải composite hai độ cong PFG-CNTRC. Xét vỏ thoải hai độ cong composite lớp PFG-CNTRC [p/0/90/0/p], lớp áp điện PFRC được gắn tại mặt trên và dưới của vỏ, các bán kính cong Rx, Ry. Vỏ chịu tải trọng cơ học và điện thế áp đặt lên mặt trên lớp PFRC phân bố dạng hình sin (m=n=1), chiều dày mỗi lớp FG-CNT là hCNT = 1mm, lớp áp điện có chiều dày hp = 0,25 mm. Các thuộc tính vật liệu FG-CNT và PFRC: - Vật liệu FG-CNTRC [28, 116]: Vật liệu nền polyme có: Em = 2.5 GPa, m = 0.34. Vật liệu gia cường là các ống CNT đơn vách có: E11CNT = 5.65 TPa, E22CNT = 7.08 TPa, G12CNT = 1.95 TPa. Với ba tỷ lệ phần trăm thể tích tổng của CNT, các tham số: 1 = 0.149, 2 = 0.934 và 3 = 2 cho trường hợp V*CNT = 11%; 1 = 0.150, 2 = 0.941 và 3 = 2 khi V*CNT = 14%; và 1 = 0,149, 2=1,381, 3=2 cho trường hợp V*CNT = 17%. Mô đun cắt: G13 = G12=G23. - Vật liệu áp điện PFRC [53]: Lớp vật liệu composite cốt sợi áp điện PFRC với các thuộc tính vật liệu như sau: C11 = 32,6 GPa; C12 = C21 = 4,3 GPa ; C13 = C31 = 4,76 GPa ; C22 = C33 = 7,2 GPa ; C23 = 3,85 GPa ; C44 = 1,05 GPa; C55 = C66 = 1,29 GPa ; e31 = -6,76 C/m2 ; p11 = p22 = 0,037e-9 C/Vm, p33 = 0,037e-9 C/Vm. Các đại lượng không thứ nguyên tính theo biểu thức (4.1), trong đó các ứng suất: , , xx yy xy được tính tại giá trị tại mặt trên và mặt dưới của vỏ (z= h/2), ứng suất c
File đính kèm:
- luan_an_phan_tich_tinh_va_dong_tam_vo_thoai_hai_do_cong_comp.pdf
- 2. TrichYeu_LA_Vu_Van_Tham.pdf
- 3. TomTat_LA_Vu_Van_Tham (Tieng Viet).pdf
- 4. TomTat_LA_Vu_Van_Tham (Tieng Anh).pdf
- 5. Dong_gop_moi_LA_Vu_Van_Tham (Tieng Viet).pdf
- 6. Dong_gop_moi_LA_Vu_Van_Tham (Tieng Anh).pdf