Tóm tắt Luận án Nghiên cứu và chế tạo màng mỏng áp điện PZT và các linh kiện cảm biến

yển từ pha thuận điện 
sang pha sắt điện. Cấu trúc tinh thể của pha sắt điện được xác định bởi tỉ số Zr và Ti. 
 5 
Hình 1.2. Giản đồ pha hệ PbZrO3 - PbTiO3. 
Trên giản đồ pha ta thấy khi tỉ 
lệ hợp phần x nằm trong khoảng 
0,45< x< 0,5 hệ tồn tại ở pha trong 
đó cả hai loại cấu trúc hình thoi và 
tứ giác cùng tồn tại. Pha ở trạng thái 
này được gọi là pha phân biên MPB 
(morphotropic phase boundary). Tại 
pha phân biên MPB, điện trường 
phân cực có thể d dàng làm cho 
vector phân cực tự phát xoay giữa hai trạng thái domain của pha tứ giác và hình thoi 
dẫn đến có sự tăng cường lớn về tính chất áp điện ở gần thành phần pha phân biên. 
1.2.2. Ảnh hưởng của cấu trúc dị lớp và tạp chất đến tính chất của màng mỏng PZT 
1.2.2.1. Ảnh hưởng của cấu trúc dị lớp đến tính chất của màng mỏng PZT 
Các nghiên cứu cơ bản về sự phụ thuộc của pha vật liệu cấu trúc đã chỉ ra rằng 
tính chất vật liệu của PZT phụ thuộc vào định hướng cấu trúc tinh thể của vật liệu. 
Cụ thể, độ lớn của d33 theo phương [001] thường lớn hơn so với phương [111]. Khi 
tiến sát tới MPB, d33[001] có thể gấp 4 lần d33[111] ở pha mặt thoi, trong khi đó, với pha 
tứ giác PZT, chỉ khoảng gấp 2 lần. Hằng số điện môi theo phương [001] cũng lớn 
hơn so với phương [111] và đều tăng đáng kể với thành phần ở gần MPB. Tuy 
nhiên, xu hướng của tỷ số 33[001]/33[111] lại ngược lại so với hằng số áp điện, tức là ở 
sát MPB, 33[001] chỉ gấp 2 lần 33[111] ở pha mặt thoi , trong khi đó, với pha tứ giác, 
lại gấp 4 lần. Điều này chỉ ra rằng, nếu như màng PZT với cấu trúc dị lớp 
(heterolayers) được tạo ra bởi sự kết hợp của nhiều lớp vật liệu thành phần giàu Ti 
xen kẽ các lớp vật liệu giàu Zr sẽ góp phần cải thiện các tính chất sắt điện, áp điện 
và điện môi. 
Sự tăng cường giá trị phân cực sắt điện Pr trong cấu trúc màng PZT dị lớp có thể 
giải thích là do sự suy giảm ứng suất và hiệu ứng liên kết giữa hai lớp màng mỏng 
có cấu trúc khác nhau. Ngoài ra, còn có thể giải thích do xuất hiện điện trường cảm 
 6 
ứng do hiệu ứng liên kết giữa hai lớp có cấu trúc pha hình thoi và tứ giác, điện 
trường này làm tăng khả năng quay của các domain sắt điện. 
1.2.2.2. Ảnh hưởng của tạp chất đến cấu trúc, tính chất của màng mỏng PZT 
Tạp chất ảnh hưởng rất lớn đến cấu trúc cũng như tính chất của màng mỏng PZT. 
Các nguyên tố được sử dụng để pha tạp vào trong vật liệu PZT có thể chia làm hai 
loại sau: (i) loại donor và (ii) loại acceptor (hình 1.3). 
Hình 1.3. Pha tạp trong vật liệu perovskite PZT (a) pha tạp acceptor, (b) pha tạp donor. 
(a) (b) 
 7 
C ƣơn 2 
CÔN N C Ế ẠO VÀ CÁC P ƢƠN P ÁP N ÊN CỨ 
2 1 P ƣơn á s l- el c ế tạ n ỏn PZ 
2.1.1. C uẩn bị ất: 
Hóa chất được sử dụng gồm: Pb-acetatetrihydrate [Pb(CH3COO)2.3H2O], 
Titanium iso-propoxide Ti[i-OPr]4, Zirconium n-propoxide Zr[n-OPr]4 và dung môi 
2-methoxyethanol (2-MOE). 
2.1.2. Tổn ợp mẫu: 
Quy trình công nghệ chế tạo màng mỏng PZT được chỉ trên hình 2.1. Trong quá 
trình này, dung dịch sol PZT được quay phủ lên trên đế Pt/Ti/SiO2/Si(100) với tốc 
độ 4000 vòng/phút trong thời gian 25 giây. Tiếp theo, để loại bỏ lượng nước và dung 
môi, màng mỏng được sấy khô ở nhiệt độ 400oC trong 10 phút. Quá trình này được 
thực hiện lặp lại sau mỗi lần quay phủ để có thể nhận được màng mỏng PZT với 
chiều dày mong muốn. Để tinh thể hóa tạo pha perovskite, màng mỏng PZT được 
nung ủ ở nhiệt độ 600-650oC trong thời gian từ 60-120 phút. 
Hình 2.1. Quy tr nh c ng nghệ chế tạo màng mỏng PZT 
 8 
2 2 Các ƣơn á n ên cứu 
Phương pháp phân tích nhiệt vi sai DTA và phương pháp phân tích nhiệt khối 
lượng TGA để nghiên cứu sự hình thành pha sắt điện. Đặc trưng hình thái bề mặt 
của màng mỏng được xác định bằng ảnh hiển vi lực nguyên tử (AFM, Bruker 
Dimension ICON). Cấu trúc của màng mỏng được nghiên cứu thông qua giản đồ 
nhi u xạ tia X (XRD, X- Bruker D8 Discover). Mật độ kết khối và chiều dày của 
màng được xác định thông qua ảnh hiển vi điện tử quét phân giải cao (HRSEM, 
Zeriss-1550). Thành phần nguyên tố trong màng mỏng được phân tích thông pha 
phổ tán xạ năng lượng (XPS, PHI QuanteraSXM). 
Tính chất sắt điện và điện môi của màng mỏng được khảo sát trên máy đo đặc 
trưng sắt điện aixACCT TF2000 Analyzer. Các đặc trưng về độ dịch chuyển áp điện 
của màng mỏng và tần số dao động cộng hưởng của linh kiện cảm biến được xác 
định thông qua phép đo laser Doppler vibrometer (LDV, Polytech MSA-400). 
Trong luận án, các linh kiện cảm biến trên cơ sở màng mỏng áp điện PZT được chế 
tạo bằng công nghệ vi cơ điện tử trên cơ sở phương pháp ăn mòn khô và ướt. 
 9 
C ƣơn 3 
 N ÊN CỨ ÍN C Ấ CỦA MÀN MỎN SOL –GEL PZT 
3.1. Nghiên cứu ảnh hưởng của điều kiện công nghệ tới tính chất màng mỏng PZT 
3.1.1. Ảnh hưởng của nhiệt độ ủ 
Kết quả phổ XRD của mẫu khi xét ảnh hưởng của nhiệt độ ủ trên hình 3.1 cho 
thấy màng có cấu trúc perovskites-cấu trúc tinh thể pha sắt điện, định hướng chủ yếu 
theo hướng (100), nhưng với một phần theo hướng (111) tương ứng các góc nhi u 
xạ 2 là 21,75o và 38,4o không xuất hiện pha không sắt điện. 
20 25 30 35 40 45 50
0
10000
20000
30000
C
ư
ờ
n
g
đ
ộ
(đ
.v
.t
.y
)
P
Z
T
(2
0
0
)P
t(
1
1
1
)
P
Z
T
(1
1
1
)
700
o
C
650
o
C
600
o
C
2-Theta (
o
)
550
o
C
P
Z
T
(1
0
0
)
 H nh 3.1. Phổ XRD của màng mỏng 
sol-gel PZT tại nhiệt độ ủ khác nhau 
H nh 3.2. H nh thái bề mặt màng 
(PZT)6 trên điện cực Pt tại nhiệt độ 
ủ khác nhau 
Hình 3.2 cho thấy kích thước hạt khi ủ ở nhiệt độ 650oC vào khoảng 500-600 nm 
có độ đồng nhất và độ mấp mô bề mặt giả. Độ mấp mô bề tăng lên khi nhiệt độ ủ 
tăng lên, tuy nhiên kích thước hạt lại giảm xuống. Tại nhiệt độ ủ 700oC, kích thước 
hạt dao động trong khoản 150-250 nm. 
Các nghiên cứu về tính chất sắt điện cũng cho thấy nhiệt độ ủ kết tinh 650oC và 
trong thời gian 30 phút là điều kiện tối ưu đối với màng mỏng PZT. Xu hướng tăng 
giá trị phân cực dư Pr, hằng số điện môi ε với nhiệt độ ủ kết tinh tăng có thể được 
giải thích dựa trên đóng góp của sự tăng lên về kích thước hạt hay nói cách khác là 
thể tích biên hạt giảm đi. 
 10 
-300 -200 -100 0 100 200 300
-40
-20
0
20
40
Đ
ộ
p
h
â
n
c
ự
c
sắ
t
đ
iệ
n
(µ
C
/c
m
2
)
Nhiệt độ ủ (oC)
Nhiệt độ ủ (oC)Điện áp E (kV/cm)
M
ô
m
e
n
sắ
t
đ
iệ
n
d
ư
(µ
C
/c
m
2
)
(b)
 550
 600
 650
 700
(a)
550 600 650 700
10
12
14
16
H nh 3.3. Đặc trưng sắt điện, h ng s điện m i của màng mỏng sol-gel PZT với 
chiều dày khác nhau 
3.1.2. Khảo sát độ dày màng mỏng PZT 
 nh HRSEM mặt cắt ngang của các mẫu chế tạo ở nhiệt độ ủ 6500C trên hình 3.4 
cho thấy tất cả các màng đều không có hiện tượng xốp, không xuất hiện sự tách lớp, 
màng có độ đồng nhất cao và không bị nứt gãy. 
Hình 3.4. Ảnh HR-SEM mặt cắt ngang của màng PZT với chiều dày khác nhau: (a) 
240, (b) 360, (c) 480 và (d) 600 nm. 
Kết quả đo tính chất sắt điện trên hình 3.5 cho thấy giá trị phân cực dư của màng 
đa lớp PZT tăng khi chiều dày màng tăng lên. Màng PZT gồm 4, 6, 8 và 10 lớp 
(tương ứng với chiều dày 240, 360, 480 và 600 nm) có giá trị phân cực điện dư lần 
 11 
lượt là 11, 13, 15 và 20 µC/cm2. Nguyên nhân ở đây là màng càng dày thì ảnh hưởng 
của sự ghim các domain tại lớp tiếp xúc màng/điện cực và đế sẽ giảm đi hay nói 
cách khác khả năng quay của các domain sắt điện (hay giá trị phân cực điện dư) tăng 
lên khi chiều dày màng tăng lên. 
-300 -200 -100 0 100 200 300
-40
-20
0
20
40
240 360 480 600
0
5
10
15
20
25
(b)
Chiều dày màng (nm)Điện áp E (kV/cm)
 240
 360
 480
 600
PZT (nm)
(a)
Đ
ộ
p
h
â
n
c
ự
c
sắ
t
đ
iệ
n
(µ
C
/c
m
2
)
M
ô
m
e
n
sắ
t
đ
iệ
n
d
ư
(µ
C
/c
m
2
)
H nh 3.5. Đặc trưng sắt điện của màng mỏng đa lớp PZT với chiều dày khác nhau 
Hình 3.6 cho thấy hằng số điện môi của màng mỏng PZT tăng lên theo sự tăng 
của chiều dày màng. Nguyên nhân tăng là do có sự giảm ảnh hưởng lớp tiếp giáp 
dẫn đến cải thiện dịch sự chuyển vách domain. Màng càng dày thì ảnh hưởng của 
lớp tiếp giáp càng được hạn chế điều đó làm cho hằng số điện môi tăng. 
-300 -200 -100 0 100 200 300
0
500
1000
1500
240 360 480 600
0
500
1000
1500
(b)
 240
 360
 480
 600
PZT (nm)
(a)
H
ằ
n
g
số
đ
iệ
n
m
ô
i
H
ằ
n
g
số
đ
iệ
n
m
ô
i
Điện áp E (kV/cm) Chiều dày màng (nm)
Hình 3.6. (a) Đường cong điện m i – điện áp và (b) h ng s điện m i, của màng 
mỏng đa lớp PZT với chiều dày khác nhau. 
3 2 N ên cứu tín c ất n ỏn PZ c cấu trúc dị lớ 
Cách thức tạo màng nhiều lớp với các cấu hình khác nhau phục vụ cho nội dung 
nghiên cứu được mô tả ở hình 3.7. Màng PZT được tạo bởi sự kết hợp của nhiều lớp 
 12 
vật liệu thành phần giàu Ti xen kẽ các lớp vật liệu giàu Zr hình thành cấu trúc dị lớp 
(heterolayers) thì sẽ có thể nhận được sự cải thiện đáng kể về độ lớn của cả hằng số 
áp điện và hằng số điện môi. 
H nh 3.7. Cấu h nh thiết kế màng PZT: (a,b) cấu trúc đa lớp (P60 ‘Pb(Zr0.6Ti0.4)O3’ 
và P40 ‘Pb(Zr0.4Ti0.6)O3’) và (c) cấu trúc dị lớp xen kẽ (P60/P40). 
Hình 3.8 là kết quả phép phân tích mô tả phân bố nồng độ nguyên tử, có thể thấy 
rõ là phân bố các nguyên tử này dọc theo độ dày màng khá đồng nhất thể hiện qua 
sự bằng phẳng tương đối của đường đặc trưng cho nguyên tử Ti và Zr đối với màng 
đa lớp, trừ lớp ngoài cùng và lớp chuyển tiếp sát với điện Pt. 
0 2 4 6 8
0
20
40
60
80
0 2 4 6 8
0
20
40
60
80
0 2 4 6 8
0
20
40
60
80
Thời gian phún xạ (phút)Thời gian phún xạ (phút)Thời gian phún xạ (phút)
N
ồ
n
g
đ
ộ
n
g
u
y
ên
tử
(%
)
N
ồ
n
g
đ
ộ
n
g
u
y
ên
tử
(%
)
N
ồ
n
g
đ
ộ
n
g
u
y
ên
tử
(%
)
 Si2p
 O1s
 Ti2p
 Zr3d
 Pb4f
 Pt4f
(c): [P60/P40]
2
(b): [P40]
4
(a): [P60]
4
Hình 3.8. Phổ XPS màng mỏng PZT với (a,b) cấu trúc đa lớp ([P60]4 và [P40]4) và (c) dị 
lớp ([P60/P40]2). 
Màng dị lớp thì có sự không đồng nhất giữa các thành phần Zr và Ti do sự khác 
nhau về hợp phần của từng lớp. Ngoài ra ta còn quan sát thấy chì (Pb) có ở các lớp 
bề mặt có thể do hệ quả của sự bay hơi nguyên tố này trong quá trình xử lý nung ở 
nhiệt độ cao. 
 13 
20 30 40 50
0
1000
2000
3000
4000
43.5 44.0 44.5 45.0 45.5
0
1000
2000
3000
4000
P40(200)P
4
0
(2
0
0
)
P
Z
T
(1
1
0
)
[P60/P40]
3
[P40]
6
C
ư
ờ
n
g
đ
ộ
(đ
.v
.t
.y
)
C
ư
ờ
n
g
đ
ộ
(đ
.v
.t
.y
)
P60(200)
P
6
0
(2
0
0
)
P
t(
1
1
1
)
P
Z
T
(1
1
1
)
2-Theta (
o
)
P
Z
T
(1
0
0
)
[P60]
6
(b)
2-Theta (
o
)
(a)
H nh 3.9. (a) Phổ XRD của màng cấu trúc đa lớp [P60]6, [P40]6 và dị lớp [P60/P40]3. (b) 
Phóng đại tại vị trí peak (200). 
Kết quả phân tích định hướng và pha cấu trúc được trình bày ở hình 3.9a cho cả màng 
đa lớp và dị lớp, tất cả đều gồm 6 đơn lớp. Nhìn chung, màng nhận được từ quy trình chế 
tạo thể hiện hoàn toàn cấu trúc perovskite ABO3 điển hình với định hướng theo các mặt 
(100) và (111) tương ứng các góc nhi u xạ 2 là 21,75o và 38,4o không thấy có tồn tại pha 
không sắt điện (pyrochlore). Tất cả các màng với cấu hình khác nhau đều cho thấy có định 
hướng theo họ mặt {100} chiếm ưu thế, đặc biệt với hợp phần P60. Đối với màng dị lớp, 
d dàng thấy có sự tồn tại đồng thời của cả pha mặt thoi tương ứng hợp phần vật liệu P60 
và pha tứ giác tương ứng hợp phần vật liệu P40. Bằng cách xếp chồng lớp P60 và P40 
trong màng mỏng dị lớp, lớp P40 có thể tạo điều kiện cho sự kết tinh của lớp P60 giống 
trong quá trình ủ, như vậy P60 sẽ theo định hướng ưu tiên của lớp P40 (hình 3.9b). 
 Kết quả nhận được đối với Pr và d33 của màng dị lớp đan xen [P60/P40]3 lần lượt là 
18,6 C/cm2 và 70 pm/V. Các giá trị này là lớn hơn so với màng đa lớp (P60)6 và (P40)6 
(hình 3.10). Kết quả này được giải thích là do sự suy giảm ứng suất kéo trong màng dị 
lớp, cũng như sự hình thành của thế điện áp nội tại giữa lớp tiếp xúc sắt điện-sắt điện và 
dẫn đến sự tăng khả năng quay của domain sắt điện dưới tác dụng của điện áp đặt vào. 
10
12
14
16
18
20
M
ô
m
en
sắ
t
đ
iệ
n
d
ư
, 
P
r
(µ
C
/c
m
2
)
[P60/P40]
3
[P40]
6
[P60]
6
(a)
20
40
60
80
H
ệ
số
áp
đ
iệ
n
d
3
3
(p
m
/V
)
(b)
[P60/P40]
3
[P60]
6
[P40]
6 
H nh 3.10. Ảnh hưởng của cấu trúc đa lớp và dị lớp đến (a) m men sắt điện dư Pr và 
(b) hệ s áp điện d33 của màng mỏng PZT. 
 14 
Sự cải thiện hằng số điện môi của màng dày PZT cấu trúc dị lớp đã được khảo sát 
bằng mô hình hệ tụ điện có vật liệu sắt điện k p giữa cặp bản cực điện cực kim loại 
(kim loại-điện áp-kim loại). 
Hình 3.11 trình bày kết quả xác định hằng số điện môi có giá trị f = 1008 cho 
màng đa lớp (P60) (hình 3.11a) và f = 896 cho màng đa lớp (P40) (hình 3.11b). 
Hằng số điện môi của màng dị lớp P60/P40 xác định trực tiếp từ phương trình (3.1) 
là f = 949. Tuy nhiên, sử dụng phương pháp ngoại suy thì đại lượng này có trị số f 
= 1162 (hình 3.11c). Ta thấy trị số của hằng số điện môi tính theo lý thuyết nhỏ hơn 
22.4% so với thực nghiệm. Điều đó có ngh a là không thể sử dụng mô hình hệ tụ 
ghép nối tiếp trong trường hợp màng cấu trúc dị lớp được. Như thế rõ ràng là ảnh 
hưởng của các lớp với hợp phần khác nhau đã giúp tăng hằng số điện môi với màng 
cấu trúc dị lớp. Phương trình khi tính đến lớp tiếp giáp P60/P40 trong trường hợp 
màng [P60]3/[P40]3 như sau: 
/2 /21 , / 60
0 0 60 0 40 0 , / 60
, 40,
(3.1)
0 , 40,
dd d d i Pt Pt t t
C A A A A
f P P i Pt P
d
i P Pt
A
i P Pt
       
 
 n
Trong đó, 0 = 8,854 10
-12
 F.m
-1
 là hằng số điện môi trong chân không; f là hằng 
số điện môi màng; i là hằng số điện môi của lớp trung gian giữa màng và điện cực; 
A là diện tích bản cực; dt, dP60 và di là độ dày tổng cộng của màng, độ dày lớp màng 
P60 và độ dày lớp tiếp giáp giữa điện cưc với màng, theo thứ tự, dt>>di, độ dày của 
màng có thể được coi là độ dày tổng cộng, tức là dt = dP60. 
0 100 200 300 400 500
0
2
4
6
0 100 200 300 400 500
0
2
4
6
Chiều dày màng (nm)Chiều dày màng (nm)Chiều dày màng (nm)
(c)
1/C = 0.0097*x + 0.9235
(b)
1/C = 0.0126*x + 0.7406
 P60
1
/C
 (
n
F
-1
)
1/C = 0.0112*x + 0.9601
(a)
 P40
1
/C
 (
n
F
-1
)
0 100 200 300 400 500
0
2
4
6 P60/P40
1
/C
 (
n
F
-1
)
H nh 3.11. Sự phụ thuộc điện dung vào chiều dày màng PZT với cấu trúc đa lớp 
(a,b) và màng dị lớp đan xen (c). 
 15 
C ƣơn 4 
N ÊN CỨ ẢN ƢỞN CỦA P A ẠP ĐẾN ÍN C Ấ 
 CỦA MÀN MỎN PZ 
4 1 Ản ƣ n a tạ Fe
3+
 ến tín c ất của n ỏn PZT 
Theo các nghiên cứu đã công bố, khi màng mỏng PZT pha tạp Fe3+ (tạp acceptor), 
các nguyên tử sắt sẽ thay thế vào vị trí B của Zr4+/Ti4+ khi đó lỗ trống oxy VO
2+
, tích 
điện dương sẽ được tạo ra để trung hòa với điện tích âm hiệu dụng sinh ra bởi các 
nguyên tử tạp chất (trong trường hợp này là ion FeTi
-1
 hoặc FeTi
-2. Do đó giữa ion 
thay thế (Fe-1Ti /FeTi
2-) và nút khuyết (VO
2+) hình thành một lưỡng cực điện. Dựa trên 
nồng độ lỗ trống oxy cũng như lưỡng cực điện được tạo thành liên quan đến nút 
khuyết oxy khi pha tạp sắt vào màng sắt điện PZT với hy vọng có thể cải thiện một 
số tính chất điện của màng vật liệu này để phù hợp cho các ứng dụng cụ thể. 
4.1.1 Ảnh hưởng pha tạp Fe3+ đến tính chất của màng mỏng và màng mỏng dị lớp PZT 
4.1.1.1. Ảnh hưởng pha tạp Fe3+ đến tính chất của màng mỏng PZT 
Mẫu PFZT có đỉnh (001) dịch vị trí đỉnh so với đỉnh (001) của màng PZT không 
pha tạp. Sự dịch đỉnh này có thể giải thích là do sự khác biệt về bán kính ion giữa 
ion Fe
3+
 và ion Zr
4+
/Ti
4+
. 
H nh 4.1. Phổ XRD của màng mỏng PZT và PFZT (pha tạp 1% Fe). 
 16 
Chúng ta có thể thấy rằng độ phân cực sắt điện dư (P
r
) giảm khi nồng độ pha tạp 
sắt tăng, hằng số điện môi của màng PFZT đạt giá trị cao nhất ở 0.5% Fe
3+
, sau đó 
giảm đi khi nồng độ ion Fe
3+
 pha tạp tiếp tục tăng lên (hình 4.2). Điều này có thể 
giải thích là do nồng độ nút khuyết oxy tạo ra nhiều hơn khi nồng độ pha tạp sắt tăng 
lên, những nút khuyết oxy này làm giảm độ linh động của các vách domain dẫn đến 
làm giảm giá trị phân cực dư. 
Hình 4.2. (a) Đường cong trễ phân cực của màng PFZT với nồng độ pha tạp Fe3+ từ 0-
5%; (b) Sự phụ thuộc của giá trị Pr như là hàm của nồng độ pha tạp sắt. 
4.1.1.2. Ảnh hưởng của tạp chất Fe3+ đến tính chất của màng mỏng dị lớp kiểu đan 
xem ([PZT]/[PFZT])3 
Các kết quả trên hình 4.3 cho thấy độ phân cực điện dư (Pr) và hhằng số điện 
môi () của màng dị lớp kiểu kết hợp [PFZT/PZT]3 (Pr = 18,5 µC/cm
2
, ε = 1186) có 
giá trị lớn hơn so với màng [PZT]6 (Pr = 14,8 µC/cm
2
, ε = 1012) và màng pha tạp 
[PFZT]6 (Pr = 14,6 µC/cm
2
, ε = 888). 
Hình 4.3. (a) Đường cong trễ phân cực (P-E) và (b) h ng s điện m i của màng 
PZT, PFZT và PFZT/PZT. 
 17 
4.2. Ảnh hưởng của việc pha tạp Nb5+ đến tính chất của màng mỏng PZT 
Trong phần nghiên cứu này, chúng tôi còn nghiên cứu ảnh hưởng của việc pha tạp 
ion Nb
5+
 (với nồng độ 1% mol) Pb(Zr,Ti)O3 -Pb(Zr0.52Ti0.48)1-xNbxO3 (PNZT) đến 
cấu trúc cũng như tính chất sắt điện của màng mỏng PZT. Quan sát từ hình 4.4 đối 
với màng pha tạp Nb (PNZT) cho ta thấy định hướng theo họ mặt {100} chiếm ưu 
thế so với họ mặt {111} của màng PNZT. 
Hình 4.4. Phổ nhiễu xạ tia X của màng pha tạp PZT, PNZT quay phủ trên 
đế Pt/Ti/SiO2/Si. 
 Các kết quả trên hình 4.5 cho thấy độ phân cực sắt điện Pr của màng PZT và 
PNZT lần lượt có giá trị là 14,72 C/cm2 và 12,70 C/cm2. Giá trị hằng số điện môi 
lớn nhất của màng mỏng pha tạp PNZT có =1152. 
Hình 4.5. Đường cong điện trễ (P-E)(a) và h ng s điện m i (b) của màng PZT 
 và PNZT. 
 18 
 Để nghiên cứu chi tiết việc pha tạp Nb5+ ảnh hưởng đến tính chất mỏi như thế 
nào ta xét đến sự phụ thuộc giá trị độ phân cực dư và điện trường khử phân cực vào 
số vòng lặp. 
Hình 4.6. Sự phụ thuộc giá trị của h ng s phân cực dư và điện trường khử phân 
cực vào s vòng lặp. 
Độ phân cực sắt điện dư (Pr) của màng PZT giảm đi, trong khi đó Pr của màng 
PNZT được tăng cường và duy trì khi chu kỳ làm việc của mẫu tăng lên. Điện 
trường khử phân cực của cả màng PZT và PNZT tăng lên khi chu kỳ làm việc của 
mẫu tăng lên. Pha tạp tạp chất Nb5+ vào PZT làm giảm nồng độ lỗ trống oxy, do đó 
giảm nồng độ dipole khuyết tật . Theo kết quả này, có sự dịch chuyển domain, hay 
nói cách khác mômen phân cực sẽ được cải thiện trong quá trình làm việc đối với 
màng PNZT. 
 19 
C ƣơn 5 
ỨN DỤN N ÊN CỨ C Ế ẠO L N K N piezoMEMS 
5.1. N u ên l ạt n của cả ến s n c 
Hình 5.1 là sơ đồ nguyên lý hoạt động của linh kiện cảm biến sinh học trên cơ sở 
thanh rung áp điện. Đầu tiên thanh rung áp điện sẽ được hoạt hóa bằng lớp hoạt 
động bề mặt (màng đơn lớp tự lắp ghép, SAM). Chất chỉ thị sinh học sẽ tiếp tục 
được gắn trên bề mặt lớp SAM, tùy thuộc vào chất cần phân tích mà chất chỉ thị sẽ 
được lựa chọn phù hợp. Sau đó, chất/kháng thể cần phân tích sẽ được chọn lọc và 
gắn kết lên các vị trí có gắn các chất chỉ thị tương ứng. 
H nh 5.1. Quy tr nh nguyên lý hoạt động của cảm biến sinh học trên cơ sở thanh 
rung áp điện. 
5 2 L n n cả ến dạn t an run 
5.2.1. Quy trình chế tạo 
Hình 5.2 giới thiệu quy trình chế tạo linh kiện cảm biến dạng thanh rung trên cơ 
sở màng mỏng áp điện PZT. Đây cũng chính là một quy trình rất quan trọng mà các 
cơ sở nghiên cứu, các công ty công nghệ luôn quan tâm nhằm tối ưu hóa quy trình 
chế tạo linh kiện cảm biến nhằm nâng cao khả năng hoạt động cũng như giảm thiểu 
kích thước của linh kiện. Bước đầu tiên trong quá trình chế tạo là việc ăn mòn lớp 
điện cực trên (Pt) bằng phương pháp ăn mòn khô với chùm ion Ar, sau đó màng 
mỏng PZT được ăn mòn bằng phương pháp ăn mòn ướt sử dụng hỗn hợp dung dịch 
acid HNO3, HF và HCl (hình 5.2e). 
 20 
Hình 5.2. Quy tr nh chế tạo linh kiện cảm biến dạng thanh rung và màng chắn trên 
cơ sở màng mỏng áp điện PZT. 
Tiếp theo là bước ăn mòn lớp điện cực dưới phương pháp ăn mòn khô với chùm 
ion Ar; lớp đệm SiO2 và lớp linh kiện Si được ăn mòn bằng phương pháp quang 
khắc hay phương pháp ăn mòn ion hoạt hóa sâu (DRIE) (hình 5.2f). Cuối cùng lớp